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PD最大耗散功率：30W
这个参数表示该元件或系统在工作时所能承受的最大热损耗,即允许的最高温度。
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ID最大漏源电流：52A
ID代表晶体管的导通电流（漏源）,这表明它能够在高电流条件下稳定工作的能力。
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V(BR)DSS漏源击穿电压：100V
V(BR)DSS指的是在导电沟道完全截止的情况下，器件能承受的最大反向电压,超过此值会导致永久性损坏。
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RDS(ON)Ω内阻：0.0138Ω
RDS(ON)是衡量开关特性的重要指标，它的值越小，意味着开关速度越快,响应时间越短。
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VRDS(ON)ld通态电流：11A
VRDS(ON)表示当晶体管处于导通状态时的电流,这对于评估其在负载条件下的性能非常关键。
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VRDS(ON)栅极电压：10V
调整栅极电压可以控制晶体管的导通程度,这个数值反映了栅极驱动能力的一个重要参考。
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VGS(th)V开启电压：2~4V
开启电压决定了栅极施加多少电压才能使晶体管开始导通,这是设计中的一个重要限制因素。
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VGS(th)ld(μA)开启电流：300μA
开启电流是确定栅极施加足够电压所需的最小电流，这对电源设计非常重要,因为它关系到是否需要额外的启动功耗。
这些参数共同描绘了电子元器件的基本特性和使用场景,帮助工程师们进行精确的设计与优化。
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